東レは、シンガポール科学技術研究庁（A*STAR）の先端的半導体研究機関Institute of Microelectronics（IME）と、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体向け高放熱接着材料の実用化に向けた共同研究を開始した。2022年９月21日発表した。
SiCパワー半導体は、省エネルギー・カーボンニュートラルの観点から、車載用途をはじめ、スマートグリッドやデータセンターなどへの拡大が期待されているという。
共同研究では、IMEの設計・試作・評価技術と、東レの材料・プロセス技術を融合することで、半導体の安全性や品質・信頼性に寄与する高放熱接着材料の貼付けプロセスの簡便性と信頼性の向上に取り組み、2025年の実用化を目指す。
東レは、「東レシンガポール研究センター（Toray Singapore Research Center（TSRC））」から共同研究を支援する。今後、高放熱接着シートの貼付けプロセスの簡便性とさらなる信頼性の向上を目指したデバイス試作・評価を進めるとしている。
新規冷却型SiCパワー半導体モジュール（左：上面、右：側面）